吸湿によるヴィア不良のメカニズム及び45nm世代多層配線デザインへの影響

摘要

45nm世代で適用するポーラスLow－k膜で間鴇となる吸湿に起因するヴィア不良（MIVF）を対策するために本研究では特別なパターンを作成して本現象のレイアウト依存を詳細に調査した。その結果、ヴィア近傍の局所的なダミー配線被覆率とダミー配線領域の大きさが本現象に大きく影蜂を与えていることが確認されこれら2つの．レイアウトパラメータを調節することで本現象を抑制できることが碓誰された。