首页> 中国专利> 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器

低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器

摘要

一种低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器,包括:一衬底;一发射极接触层,其制作在衬底上;一发射区,其制作在发射极接触层上,发射极接触层另一侧形成一台面;一隔离层,其制作在发射区上;一双势垒结构,其制作在隔离层上;一吸收层,其制作在双势垒层结构上;一集电区,其制作在吸收层上;一上电极,其制作在集电区上;一下电极,其制作在发射极接触层另一侧的台面上。本发明可以进一步降低暗电流。通过使用本发明提出的npin型掺杂,基于共振隧穿二极管的近红外探测器将会得到低的暗电流。

著录项

  • 公开/公告号CN104659145B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201510098629.9

  • 申请日2015-03-06

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:51:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-11

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/101 变更前: 变更后: 申请日:20150306

    著录事项变更

  • 2017-01-25

    授权

    授权

  • 2017-01-25

    授权

    授权

  • 2015-06-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/101 申请日:20150306

    实质审查的生效

  • 2015-06-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/101 申请日:20150306

    实质审查的生效

  • 2015-05-27

    公开

    公开

  • 2015-05-27

    公开

    公开

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