一种低暗电流高灵敏度光电探测器结构及其制造方法

摘要

一种低暗电流高灵敏度光电探测器结构，包括外延片，该外延片包括InP衬底，所述InP衬底的上方由下往上依次沉积有缓冲层、下欧姆接触层、过渡层、吸收层和窗口层，所述窗口层的上方设置有上欧姆接触层和绝缘层；所述上欧姆接触层和所述绝缘层位于同一层，所述绝缘层分为两个部分且分别位于所述上欧姆接触层的两侧。本发明采用MOCVD选区外延工艺，制备出自带隔离槽和低侧面漏电结构的探测器外延片，减少复杂高精度的光刻套刻和刻蚀工艺，制程简化，良率高，成本低。