基于等离子体化学增强气相沉积直接合成大面积氧化石墨烯的方法

摘要

本发明属于材料科学技术领域，具体为一种基于等离子体化学增强气相沉积直接合成大面积氧化石墨烯的方法。本发明具体步骤包括：对衬底进行预处理；利用等离子体增强化学气相沉积系统在衬底上生长氧化石墨烯；生长结束后将氧化石墨烯取出；合成的关键之处在于氧原子的引入与控制。本发明方法反应时间短，反应温度低，且氧化石墨烯的含氧量可控。与现有的化学法合成的氧化石墨烯相比，本方法合成的氧化石墨烯具有尺寸大，均匀性好的特点，可用在气体探测、光电器件等领域。