首页> 中国专利> 生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜及其制备方法和应用

生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜及其制备方法和应用

页面导航

摘要

本发明涉及一种生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜，包括Al

1. 生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜及其制备方法和应用 [P] . 中国专利： CN103996607B . 2016.10.19
2. 生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜 [P] . 中国专利： CN204189814U . 2015.03.04
3. METHOD OF IMPROVING SURFACE MORPHOLOGY OF (GA,AL,IN,B)N THIN FILMS AND DEVICES GROWN ON NONPOLAR OR SEMIPOLAR (GA,AL,IN,B)N SUBSTRATES [P] . 美国专利： US2010219416A1 . 2010-09-02

机译：改善（GA，AL，In，B）N薄膜和生长在非极性或半极性（GA，AL，IN，B）N衬底上的薄膜和表面形貌的方法
4. Multi-finger large periphery AlInN/AlN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field effect transistors on sapphire substrate [P] . 美国专利： US9543425B2 . 2017-01-10

机译：蓝宝石衬底上的多指大外围AlInN / AlN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
5. Multi-finger large periphery AlInN/AlN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field effect transistors on sapphire substrate [P] . 美国专利： US9343544B2 . 2016-05-17

机译：蓝宝石衬底上的多指大外围AlInN / AlN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管