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用于制造3D图像传感器结构的系统和方法

摘要

本发明公开了一种用于制造3D图像传感器结构的系统和方法。所述方法包括在衬底上提供具有背照式光敏区的图像传感器,将第一介电层施加到所述衬底的与收集图像数据的衬底侧相对的第一侧,将可选为多晶硅的半导体层施加到所述第一介电层。至少一个控制晶体管可制造在所述半导体层内的第一介电层上,并且可选为行选择、复位或源极跟随器晶体管。将金属间介电层施加在所述第一介电层上方,以及可具有设置在其中的至少一个金属互连件。可将第二层间介电层设置在控制晶体管上。可通过将晶圆接合到所述衬底或通过沉积来施加所述介电层以及半导体层。

著录项

  • 公开/公告号CN103579264B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201310042268.7

  • 发明设计人 高敏峰;杨敦年;刘人诚;庄俊杰;

    申请日2013-02-01

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 中国台湾,新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:47:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-21

    授权

    授权

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20130201

    实质审查的生效

  • 2014-02-12

    公开

    公开

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