一种氮掺杂SiC基底的外延石墨烯背栅晶体管的制备方法

摘要

本发明公开一种氮掺杂SiC基底的外延石墨烯背栅晶体管的制备方法，用半导体离子注入机产生的氮离子对平整均匀的SiC基底进行掺杂，在SiC基底的上半部分注入参数为30kev~150kev 的氮离子作为介质层、下半部分注入参数为500kev~1000kev的氮离子作为栅极；将注入氮离子后的SiC基底外延生长石墨烯，形成石墨烯沟道层；本发明直接利用SiC基底本身来制备晶体管，不用淀积栅极和介质层，操作简单，避免了在加工过程中的二次污染；外延生长出的石墨烯电学特性好，具有更高的电子迁移率。