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稀土元素Ce掺杂GaN纳米线的制备方法

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摘要

本发明公开了Ce掺杂GaN纳米线的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域，通过两步（化学气相沉积法和固态烧结扩散法）制备Ce掺杂GaN纳米线：高纯Ga

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-29

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 21/06 授权公告日:20160914 终止日期:20180409 申请日:20150409

专利权的终止
2016-09-14

授权

授权
2016-09-14

授权

授权
2015-09-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B21/06 申请日:20150409

实质审查的生效
2015-09-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/06 申请日:20150409

实质审查的生效
2015-08-12

公开

公开
2015-08-12

公开

公开

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1. 稀土元素Ce掺杂GaN纳米线的制备方法 [P] . 中国专利： CN104828791B . 2016.09.14
2. 一种稀土元素Sm掺杂GaN纳米线的制备方法 [P] . 中国专利： CN104894531A . 2015-09-09
3. GROWING METHOD OF GaN NANO-WIRES BY USING AN Au CATALYST LAYER CAPABLE OF INDUCING VERTICAL GROWTH OF GaN NANO-WIRES INTO FIXED THICKNESS AND GROWTH LENGTH [P] . 韩国专利： KR20120100341A . 2012-09-12

机译：通过使用能够将GaN纳米线的垂直生长诱导为固定厚度和生长长度的Au催化剂层来生长GaN纳米线的方法
4. Nanowire manufacturing method, group III nitride nanowire array, and GaN substrate structure [P] . 日本专利： JP5592610B2 . 2014-09-17

机译：纳米线的制造方法，III族氮化物纳米线阵列和GaN衬底结构
5. Method of making gan nanowires and a group iii-n nanowire array and substrate formed thereby [P] . IL193824A . 2013-08-29

机译：制备gan纳米线和iii-n族纳米线阵列的方法以及由此形成的衬底