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晶圆结构、中间结构、晶圆级封装结构及芯片级封装结构

摘要

本实用新型提供一种晶圆结构,包括晶圆本体,还包括:在晶圆本体的无源面上制作得到的多个凸起,相邻凸起之间的凹槽;凹槽用于填充塑封层。还提供一种中间结构、晶圆级封装结构及芯片级封装结构。基于在晶圆本体的无源面上制作得到的凸起,使得后续塑封层可以填充到相邻凸起之间的凹槽中,但由于凸起的存在,无法填充到凸起所占用的区域,因此增加了晶圆本体与塑封层之间的体积比,降低晶圆本体与塑封层之间因CTE失配而导致的热载荷应力,从而降低了晶圆本体的翘曲程度,同时也降低了芯片与封装基板之间的焊接失效概率;此外,通过凹槽,还提高了塑封层的接触面积,从而提高了整体结构的抗弯刚度,有助于降低封装体的翘曲程度。

著录项

  • 公开/公告号CN216413091U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长电集成电路(绍兴)有限公司;

    申请/专利号CN202123387677.X

  • 申请日2021-12-28

  • 分类号H01L29/06;H01L23/31;

  • 代理机构重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人邓锋

  • 地址 312000 浙江省绍兴市临江路500号

  • 入库时间 2022-08-23 06:28:17

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