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二次电子发射离子束的处理装置

摘要

一种高二次电子发射离子束的处理装置,它包括处理中心、高真空泵、低真空泵、氩气设备和PLC控制系统,通过在处理中心的真空箱内设置夹持平台和溅射靶,溅射靶位于离子源和夹持平台之间,通过夹持座将工件夹持于夹持平台上,高真空泵和低真空泵对真空箱进行抽真空处理,氩气设备向真空箱内冲入氩气,离子源发射离子束,溅射靶将离子束引导至工件表面形成导电膜,有利于控制离子束,在工件表面形成均匀的导电膜层,便于集中控制,操作简单方便。

著录项

  • 公开/公告号CN215906271U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖北三峡职业技术学院;

    申请/专利号CN202121808162.X

  • 发明设计人 秦工;邹丽;

    申请日2021-08-04

  • 分类号C23C14/34(20060101);C23C14/50(20060101);H01J37/34(20060101);

  • 代理机构42226 宜昌市慧宜专利商标代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人夏冬玲

  • 地址 443000 湖北省宜昌市体育场路31号

  • 入库时间 2022-08-23 05:04:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-25

    授权

    实用新型专利权授予

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