公开/公告号CN215869395U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学;
申请/专利号CN202023006193.1
申请日2020-12-11
分类号H01L29/45(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;
代理人江裕强
地址 528400 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房
入库时间 2022-08-23 04:53:14
机译: 具有嵌入式栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),该栅电极具有第一凹槽部分和第二凹槽部分以改善漏极击穿电压
机译: GaN基装置欧姆接触电极的制造方法
机译: GaN基装置欧姆接触电极的制造方法