公开/公告号CN215641679U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 山东睿芯半导体科技有限公司;
申请/专利号CN202123253411.6
申请日2021-12-23
分类号G01R31/28(20060101);G01R1/02(20060101);G01R1/04(20060101);
代理机构
代理人
地址 276800 山东省日照市经济开发区上海路388号
入库时间 2022-08-23 04:12:08
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种用于测试具有至少两个电路核心的集成电路芯片的方法以及集成电路芯片和测试系统
机译: 以及一种用于互连暴露在集成电路芯片的外表面上的端子的互连元件的制造方法,一种包括多个元件的互连的多层互连板的制造方法以及一种多层布线板的制造方法。