公开/公告号CN215379450U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 歌瑞宇航电子(天津)有限公司;
申请/专利号CN202121454091.8
发明设计人 周学清;
申请日2021-06-29
分类号H05K5/02(20060101);H05K7/20(20060101);H05K7/14(20060101);
代理机构11487 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人汪斌
地址 300000 天津市河北区国银大厦1702
入库时间 2022-08-23 02:35:45
机译: 用于例如数字照相机和移动电话的非易失性存储器件具有:具有沟槽结构的浮置栅极;在沟槽结构内部形成的控制栅极;以及设置在浮置栅极和控制栅极之间的栅极绝缘层。
机译: 半导体器件的晶体管包括堆叠型栅极,栅极氧化膜和浮置氮化物膜,其被掩埋在形成在半导体衬底上的栅极氧化膜与形成在浮置栅极上的栅氧化膜之间的间隙处。
机译: “合并的”(合并的)类型的永久存储单元具有一个浮置栅极,该浮置栅极叠加到控制栅极和选择栅极上。