类型为“合并”(或合并)的永久性存储单元,包括与控制栅和选择栅重叠的浮栅。 p> & &异源修改单元包括浮栅5,浮栅5叠加到控制栅上,而选择栅9则以单件形式完成。在两个栅极5、9之间插入电介质12形式的氧化硅,或者作为变体,将氮化钛硅12的氧化物与硅12的耦合。
公开/公告号FR2572211B1
专利类型
公开/公告日1991-09-13
原文格式PDF
申请/专利权人 SGS MICROELETTRONICA SPA;
申请/专利号FR19850015759
发明设计人 ANDREA RAVAGLIA;
申请日1985-10-23
分类号G11C11/34;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 05:48:40