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Permanent memory cell of the type 'merged ' (merged) has a floating gate superimposed to the control gate and of the selection

机译:“合并的”(合并的)类型的永久存储单元具有一个浮置栅极,该浮置栅极叠加到控制栅极和选择栅极上。

摘要

P permanent memory cell of the type "merged " (or merged), comprising a floating gate superimposed to the control gate and of the selection. / p & & p & a heterologous modified cell comprises a floating gate 5 superimposed to the control gate and of the selection 9, completed in a single piece. Between the two gates 5, 9 is interposed a dielectric 12 form of silicon oxide, or in a variant, a coupling of the oxide of titanium nitride silicium12 silicium12 and / p
机译:

类型为“合并”(或合并)的永久性存储单元,包括与控制栅和选择栅重叠的浮栅。 & &异源修改单元包括浮栅5,浮栅5叠加到控制栅上,而选择栅9则以单件形式完成。在两个栅极5、9之间插入电介质12形式的氧化硅,或者作为变体,将氮化钛硅12的氧化物与硅12的耦合。

著录项

  • 公开/公告号FR2572211B1

    专利类型

  • 公开/公告日1991-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SGS MICROELETTRONICA SPA;

    申请/专利号FR19850015759

  • 发明设计人 ANDREA RAVAGLIA;

    申请日1985-10-23

  • 分类号G11C11/34;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 05:48:40

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