首页> 中国专利> 一种对具有单独擦除栅极的分栅式非易失性浮置栅极存储单元进行编程的方法

一种对具有单独擦除栅极的分栅式非易失性浮置栅极存储单元进行编程的方法

摘要

在非易失性存储单元的编程期间,在电压脉冲被施加到单元的其它元件之后的一延迟时间,电压脉冲被施加到单元的擦除栅极。擦除栅极电压脉冲基本上在与其它电压结束的相同时间结束。

著录项

  • 公开/公告号CN104011799B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅存储技术公司;

    申请/专利号CN201280065391.4

  • 发明设计人 V.马科夫;J-W.俞;H.Q.阮;A.科托夫;

    申请日2012-10-10

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人申屠伟进

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:46:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-21

    授权

    授权

  • 2014-09-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/34 申请日:20121010

    实质审查的生效

  • 2014-08-27

    公开

    公开

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