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基于GaAs PHEMT的超宽带分布式功率放大器

摘要

本实用新型公开了基于GaAs PHEMT的超宽带分布式功率放大器,其包括输入端口、输出端口、以及位于输入端口与输出端口之间依次级联的N级功率放大单元,N≥2;每一级所述功率放大单元均包括输入匹配网络和共源共栅晶体管模块;每一级功率放大单元的共源共栅晶体管模块中均包括M个的PHEMT管,M≥2,第一级功率放大单元的第一端与输入端口相连,第N级功率放大单元的第二端与输出端口相连;从输入至输出,各级功率放大单元的共源共栅晶体管模块中的PHEMT管的尺寸逐级递减。本实用新型提供使得基于GaAs PHEMT工艺的超宽带分布式功率放大器同时满足了带宽和输出功率上的需求,且芯片功耗小,可靠性能高。

著录项

  • 公开/公告号CN215344511U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京米乐为微电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202120894680.1

  • 发明设计人 宋佳颖;

    申请日2021-04-27

  • 分类号H03F3/20(20060101);

  • 代理机构32408 南京泉为知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人许丹丹

  • 地址 211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号

  • 入库时间 2022-08-23 02:28:18

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