Power amplifiers; Field effect transistors; Molecular beam epitaxy; High electron mobility transistors; Aluminum gallium arsenides; Microwave circuits; Integrated circuits; Indium gallium arsenides; Phased arrays; Extremely high frequencies; Chips(Electronics); Amplification; Doped crystals; Power efficiency;
机译:使用0.5μm栅长的离子注入GaAs / AlGaAs异质结FET技术的Ka波段单片放大器
机译:使用直接离子注入GaAs MESFET的Ka波段单片低噪声放大器
机译:使用0.2- / splμ/μm干式GaAs PHEMT的高性能Ka波段单片低噪声放大器
机译:Ka波段单片GaAs FET功率放大器模块
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:用于高频脉冲回波仪表的高压功率放大器的功率MOSFET线性化器
机译:DC至40 GHz,高线性单片GAAS分布式放大器,具有低直流功耗作为高比特率预驱动器
机译:Ka波段Gaas FET单片功率放大器开发