POWER AMPLIFIERS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; ALUMINUM GALLIUM ARSENIDES; MICROWAVE CIRCUITS; INTEGRATED CIRCUITS; INDIUM GALLIUM ARSENIDES; PHASED ARRAYS; EXTREMELY HIGH FREQUENCIES; CHIPS (ELECTRONICS); AMPLIFICATION; DOPED CRYSTALS; POWER EFFICIENCY;
机译:使用0.5μm栅长的离子注入GaAs / AlGaAs异质结FET技术的Ka波段单片放大器
机译:使用直接离子注入GaAs MESFET的Ka波段单片低噪声放大器
机译:使用0.2- / splμ/μm干式GaAs PHEMT的高性能Ka波段单片低噪声放大器
机译:Ka波段单片GaAs FET功率放大器模块
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:用于高频脉冲回波仪表的高压功率放大器的功率MOSFET线性化器
机译:DC至40 GHz,高线性单片GAAS分布式放大器,具有低直流功耗作为高比特率预驱动器
机译:Ka波段Gaas FET单片功率放大器开发