公开/公告号CN213876300U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-08-03
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州瑞而美光电科技有限公司;
申请/专利号CN202022816995.2
发明设计人 王峰;
申请日2020-11-30
分类号G03F1/38(20120101);G03F1/46(20120101);G03F1/48(20120101);G03F1/68(20120101);G03F7/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;
代理人范晴;丁浩秋
地址 215000 江苏省苏州市太仓市科教新城子冈路27号6号楼8楼801室LA25
入库时间 2022-08-22 23:24:40
机译: 用于x射线光刻的SiC膜,x射线光刻的生产方式和掩膜版
机译: 实施壳聚糖或藻酸盐作为掩膜版,以进行光刻和转移。
机译: 掩膜版,用于补偿光刻系统中辐射引起的透镜误差