公开/公告号CN213484746U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 上海维安半导体有限公司;
申请/专利号CN202022690042.6
申请日2020-11-19
分类号H02M1/08(20060101);H02M1/32(20070101);H02M1/44(20070101);H03K17/081(20060101);
代理机构31272 上海申新律师事务所;
代理人俞涤炯
地址 201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
入库时间 2022-08-22 22:17:49
机译: 用于自同步整流器的功率MOSFET栅极保护电路,其MOSFET的低压传导阈值受其栅极-源极布线控制
机译: 用于各种驱动器电路的MOSFET开关元件的保护线,在MOSFET的栅极和漏极之间连接了电容耦合元件
机译: 一种具有栅极自保护的集成电路的生产方法以及具有栅极自保护的集成电路