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一种MOSFET的栅极保护电路

摘要

本实用新型涉及电路技术领域,尤其涉及一种MOSFET的栅极保护电路,其中,包括:一驱动信号端,以提供一驱动信号;一启动模块,启动模块的输入端连接至驱动信号端,以根据驱动信号产生一启动电流;一电感,电感的一端连接至启动模块的输出端,电感背向启动模块的另一端连接至一待保护的MOS管的控制端,以抑制瞬间电流尖峰和干扰;一关断模块,输入端连接于所述驱动信号端,所述关断模块的输出端连接于所述电感背向待保护的所述MOS管的一端,所述关断模块的公共端接地,起到保护MOS管的作用。有益效果:通过将待保护的MOS管的控制端连接电感,从而对电流尖峰和震荡具有抑制作用,使电流变得平滑,起到保护MOS管的作用。

著录项

  • 公开/公告号CN213484746U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海维安半导体有限公司;

    申请/专利号CN202022690042.6

  • 发明设计人 彭国建;郭建军;马治军;

    申请日2020-11-19

  • 分类号H02M1/08(20060101);H02M1/32(20070101);H02M1/44(20070101);H03K17/081(20060101);

  • 代理机构31272 上海申新律师事务所;

  • 代理人俞涤炯

  • 地址 201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢

  • 入库时间 2022-08-22 22:17:49

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