公开/公告号CN213447380U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院包头稀土研发中心;
申请/专利号CN202022293573.1
申请日2020-10-15
分类号C30B15/34(20060101);C30B15/32(20060101);C30B15/36(20060101);
代理机构11265 北京挺立专利事务所(普通合伙);
代理人王莉
地址 014000 内蒙古自治区包头市稀土高新区黄河大街36号
入库时间 2022-08-22 22:14:14
机译: 在装置的第一端和第二端之间掺杂半导体熔体的设备和方法,该设备和方法包括籽晶卡盘,连接至籽晶卡盘的籽晶以及连接至籽晶卡盘的掺杂剂容器
机译: 区域熔化法生产硅单晶,包括在熔化棒下端的熔化区熔化块状材料,并使熔化区与籽晶接触,从而使单晶在籽晶上生长。
机译: 一种将由sic,bn,bp,aln或aip组成的晶体生长为籽晶的方法