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公开/公告号CN213240601U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂);
申请/专利号CN202022207309.1
发明设计人 方明洪;吴双彪;陈嘉嘉;王智;任真伟;姚良智;周卓;
申请日2020-09-30
分类号G02B6/42(20060101);
代理机构52114 贵州派腾知识产权代理有限公司;
代理人汪劲松
地址 550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号
入库时间 2022-08-22 21:35:30
机译: 光电耦合器和光电耦合器阵列以及光电耦合器内部芯片半导体集成电路
机译: 光电耦合器的制造方法以及由该光电耦合器制造的光电耦合器
机译: 用于这种光耦合器和光电子模块的光混合,低杂音的光耦合器
机译:在III-V CMOS光子平台上与InP光栅耦合器单片集成的低暗电流波导InGaAs金属-半导体-金属光电探测器
机译:低功率光电倍增管和电荷耦合器件化学发光检测法测定多环芳烃的流动方法
机译:一种单片集成的对接3D散装CMOS SI光电探测器阵列,具有单芯片的光纤耦合器平台
机译:低控制电容CDS光电耦合器的实时载荷特性评估系统
机译:高速集成-瞬态射频和微波信号(光电,激光,光电探测器,方向耦合器)的光学采样器。
机译:基于低压和快速响应的钙钛矿复合光电探测器的高性能有机-无机钙钛矿光电耦合器
机译:一种通过数字光电耦合器隔离模拟信号的新颖方法(YOUTAB)
机译:飞兆半导体栅极驱动光电耦合器,FOD3150型,宽温工作评估