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Photo coupler and photo coupler array and photo coupler internal die semiconductor integrated circuit

机译:光电耦合器和光电耦合器阵列以及光电耦合器内部芯片半导体集成电路

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel photocoupler which can be fabricated in a semiconductor integrated circuit chip.;SOLUTION: The photocoupler 100 comprises a silicon substrate 101, a photodiode 107 provided thereon, a silicon oxide film 102, a polyimide film 103, a conductive film 116 and a polyimide film 115 provided on the silicon substrate 101, a transparent substrate 111 arranged on the polyimide film 115, and a surface light source 112 provided on the transparent substrate 111. The conductive film 116 constitutes an input pad 106, a movable mirror 104 and a hinge 105. The polyimide film 103 and the polyimide film 115 constitute a spacer and surrounds the movable mirror 104 and the photodiode 107. Furthermore, the photocoupler 100 has a reflective film 109 provided on the lower surface of the transparent substrate 111. The reflective film 109 has an opening 110 and the surface light source 112 faces the movable mirror 104 through the opening 110.;COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
机译:解决的问题:提供一种可以在半导体集成电路芯片中制造的新颖的光耦合器。解决方案:光耦合器100包括硅衬底101,设置在其上的光电二极管107,氧化硅膜102,聚酰亚胺膜103,导电膜116和设置在硅基板101上的聚酰亚胺膜115,设置在聚酰亚胺膜115上的透明基板111以及设置在透明基板111上的面光源112。导电膜116构成输入焊盘106,可移动镜104和铰链105。聚酰亚胺膜103和聚酰亚胺膜115构成隔离物,并且围绕可移动镜104和光电二极管107。此外,光电耦合器100具有在透明基板的下表面上设置的反射膜109。反射膜109具有开口110,并且面光源112通过开口110面对可移动镜104 。;版权所有:(C)2005,JPO&NCIPI

著录项

  • 公开/公告号JP4758069B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 オリンパス株式会社;

    申请/专利号JP20040066037

  • 发明设计人 有馬 通継;

    申请日2004-03-09

  • 分类号H01L31/12;G02B26/08;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 18:20:09

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