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公开/公告号CN212934164U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国计量大学;
申请/专利号CN202021578883.1
发明设计人 施胜宾;周浩淼;邱阳;杨浛;朱明敏;郁国良;
申请日2020-08-03
分类号G11C11/22(20060101);
代理机构33109 杭州杭诚专利事务所有限公司;
代理人尉伟敏
地址 310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区学源街258号
入库时间 2022-08-22 20:43:16
机译: 包括磁性结构的信息存储设备及其制造和操作方法,能够通过磁畴壁的移动而应用于信息存储设备的记录单元
机译: 单壁磁畴-结构单元
机译: 使用统一的单元结构和技术以及新的解码器和布局方案,在单元格中实现了一种新颖的,完整的非易失性内存,允许字节,分页和块写入,且无干扰,并且在单元格中被很好地划分
机译:多铁异质结构中应力介导的磁电控制铁磁畴壁位置
机译:高温多铁膜和异质结构中的铁电和磁畴壁
机译:弹性钉扎磁畴壁对多铁异质结构中磁化反转的影响
机译:单磁畴纳米多铁异质结构的电压控制
机译:一种新的基于代数结构的湍流模型,用于旋转壁边界流。
机译:带磁畴和畴壁运动的应变介导多铁性异质结构中的双向耦合
机译:基于单元结构的模糊建模与控制 - 一种建模与控制专家系统