公开/公告号CN212659542U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-03-05
原文格式PDF
申请/专利权人 厦门芯一代集成电路有限公司;
申请/专利号CN202021870175.5
申请日2020-08-31
分类号H01L27/092(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/10(20060101);
代理机构35247 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人苏娟
地址 361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元
入库时间 2022-08-22 20:02:09
机译: 具有电荷耦合器件的固态图像传感器-具有双层结构,在半导体衬底的掩埋沟道区中具有表面沟道区
机译: 功率金属氧化物半导体晶体管例如用于集成电路的功率绝缘栅双极晶体管具有以沟道区为特征的反相沟道,形成在主体区的一部分中并布置在一个半导体层中
机译: 具有掩埋浮栅,尖头浮栅和尖头沟道区的浮栅存储单元的半导体存储阵列