一种双路共漏MOSFET芯片封装结构

摘要

本申请实施例公开了一种双路共漏MOSFET芯片封装结构，包括：正面设置至少两个源极和两个栅极的双路共漏MOSFET芯片本体，芯片本体上表面除去金属柱对应位置都设置有第一保护层，芯片本体左右侧面设置有第一保护层，设置有第一保护层的芯片本体设置在导电层上方，在导电层底面及左右侧面的第一保护层外围设置有第二保护层，本申请提供的实施例对MOSFET芯片本体进行塑封保护，可以防止晶圆裂片或损坏。