机译:具有高漏-体击穿电压(Vb)的横向扩展漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(LEDMOSFET),形成LEDMOSFET的方法以及包含LEDMOSFET的互补对的硅控整流器(SCR)
公开/公告号US2012168817A1
专利类型
公开/公告日2012-07-05
原文格式PDF
申请/专利号US201113238414
申请日2011-09-21
分类号H01L27/088;H01L21/76;H01L21/336;H01L29/78;
国家 US
入库时间 2022-08-21 17:32:01