新型共漏双MOSFET结构及其形成方法

摘要

本发明公开了新型共漏双MOSFET结构及其形成方法，涉及模拟电路与数字电路的技术领域。新型共漏双MOSFET结构，通过相互靠近的FET1和FET2单元，使得电流在晶圆中都是在相邻的FET1和FET2单元之间流动，这样大大减小了电流在介质中的传输距离，从而避免了电流在介质中长距离的输送导致的导通电阻，同时使得圆晶厚度与电流的传输距离的影响变小，进而使得圆晶无需做的很薄，从而降低了工艺难度，再者在不需要较大面积的FET1和FET2同时不需要晶圆背面的厚金属，因此避免了成品的MOSFET在晶圆上受到应力影响，同时避免晶圆的翘曲。