公开/公告号CN212303631U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-01-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯长电半导体(江阴)有限公司;
申请/专利号CN202022203803.0
申请日2020-09-30
分类号H01L21/683(20060101);H01L21/3105(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人罗泳文
地址 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
入库时间 2022-08-22 19:01:57
机译: 涉及退火过程的半导体结构的键合方法,以及采用这种方法形成的键合半导体结构和中间结构的键合方法
机译: 涉及退火过程的半导体结构的键合方法,以及采用这种方法形成的键合半导体结构和中间结构的键合方法
机译: 在密闭结构中固化包含硅键合烷氧基交联剂的室温可硫化硅密封剂组合物时减少气泡形成的方法