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一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构

摘要

本实用新型提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构,结构至少包括:焊盘结构,包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极,所述重布线介质层表面经过等离子处理而具有粗化结构;胶层,形成于所述重布线介质层上;基板,贴附与所述胶层上。通过添加等离子处理工艺,使重布线介质层的表面变粗糙,使其具有良好的亲水性,从而有利于临时键合胶粘剂流动性,实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触,减少后续的高温CVD过程中气泡的产生,从而降低边缘破裂的风险,可以提高产品的产量并可以增加产率。

著录项

  • 公开/公告号CN212303631U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中芯长电半导体(江阴)有限公司;

    申请/专利号CN202022203803.0

  • 发明设计人 潘远杰;周祖源;薛兴涛;

    申请日2020-09-30

  • 分类号H01L21/683(20060101);H01L21/3105(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人罗泳文

  • 地址 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号

  • 入库时间 2022-08-22 19:01:57

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