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用于低应力MEMS封装的粘接结构和封装结构

摘要

本实用新型涉及低应力MEMS封装技术领域,尤其涉及一种用于低应力MEMS封装的粘接结构和封装结构。本实用新型涉及低应力MEMS封装技术领域,尤其涉及一种针对惯性传感器的低应力MEMS封装的三维封装粘接结构和封装结构。所述用于低应力MEMS封装结构包括MEMS芯片和MEMS基座,所述MEMS芯片通过如本实用新型第一方面所述的用于低应力MEMS封装的粘接结构粘贴在所述MEMS基座上。所述用于低应力MEMS封装的粘接结构和封装结构具有较好的应力隔离效果。

著录项

  • 公开/公告号CN211255241U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江南大学;

    申请/专利号CN201922009546.4

  • 发明设计人 刘禹;唐彬;商二威;杨杰;陈彦秋;

    申请日2019-11-20

  • 分类号

  • 代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人曹祖良

  • 地址 214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号

  • 入库时间 2022-08-22 15:57:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-14

    授权

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