公开/公告号CN103915308B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 中微半导体设备(上海)有限公司;
申请/专利号CN201210594588.9
申请日2012-12-31
分类号H01J37/32(20060101);B81C1/00(20060101);
代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;
代理人张龙哺;吕俊清
地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
入库时间 2022-08-23 09:42:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-09
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01J 37/32 变更前: 变更后: 申请日:20121231
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-06-29
授权
授权
2016-06-29
授权
授权
2014-08-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20121231
实质审查的生效
2014-08-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20121231
实质审查的生效
2014-07-09
公开
公开
2014-07-09
公开
公开
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机译: 提供有改进的电极的射频等离子体刻蚀的装置以及使用这种装置刻蚀的方法
机译: 等离子体处理工具,双源等离子体刻蚀机,双源等离子体刻蚀方法以及形成平面线圈双源等离子体刻蚀机的方法
机译: 等离子体处理工具双源等离子体刻蚀机,双源等离子体刻蚀方法以及形成平面线圈双源等离子体刻蚀机的方法