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一种具有TSV结构的MEMS芯片

摘要

本实用新型属于芯片封装的技术领域,公开了一种具有TSV结构的MEMS芯片,在盖板的深槽内壁上覆盖一层绝缘氧化层,使其成为氧化深槽,并在氧化深槽内充满深槽多晶硅,成为TSV结构,MEMS结构的电信号既可以通过第一键合金属块和TSV导电柱连接到顶层金属图形上,也可以通过第二键合金属块、金属导线和深槽多晶硅连接到顶层金属图形上,达到了一个TSV结构导通二路电信号的目的,MEMS芯片体积小,方便MEMS结构的设计。

著录项

  • 公开/公告号CN211004545U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201921987347.4

  • 发明设计人 华亚平;

    申请日2019-11-18

  • 分类号

  • 代理机构蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司;

  • 代理人王琪

  • 地址 233042 安徽省蚌埠市财院路10号

  • 入库时间 2022-08-22 15:15:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-14

    授权

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