公开/公告号CN211004545U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-07-14
原文格式PDF
申请/专利权人 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司;
申请/专利号CN201921987347.4
发明设计人 华亚平;
申请日2019-11-18
分类号
代理机构蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司;
代理人王琪
地址 233042 安徽省蚌埠市财院路10号
入库时间 2022-08-22 15:15:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-14
授权
授权
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 具有双大马士革布线和衬底通孔(TSV)结构的半导体芯片
机译: 具有双DAMASCENE线和贯穿基底(TSV)结构的半导体芯片