大面积薄膜沉积PECVD电极结构及设备

摘要

本发明涉及PECVD镀膜技术领域，特别是一种大面积薄膜沉积PECVD电极结构；包括阳极和阴极，其特征在于：所述阳极和所述阴极平行相对设置，所述阳极和所述阴极竖直设置在设备的真空腔体内，所述阴极上设置有复数个供气孔和2个以上的排气孔，基板放置在所述阳极的正反两面附近；本发明同时还提供了一种大面积薄膜沉积PECVD设备；通过采用本发明的技术方案能够防止高阶硅烷的生成，并提高薄膜的沉积速度、提高薄膜的质量、提高生产效率、降低生产成本。