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半导体检测装置、半导体检测系统及检测衬底温度的方法

摘要

一种半导体检测装置,其应用于半导体处理设备中,所述半导体处理设备包括反应腔体,所述反应腔体内设置有用以支撑衬底的支撑座,所述反应腔体具有腔体部件,所述支撑座设有用以定位衬底的若干腔体。所述半导体检测装置固定于所述反应腔体的腔体部件上,从而在衬底沉膜过程中能够实现对衬底温度的及时检测。所述半导体检测装置能够获知所述衬底的位置,并能够通过运动的方式对所述衬底进行检测,从而避免了现有技术中固定式探测器难以与衬底精确定位的问题。另外,本发明还揭示了由该半导体检测装置组成的半导体检测系统及用以检测衬底温度的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN103531495B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 理想能源设备(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201210229884.9

  • 申请日2012-07-04

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄海霞

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江居里路1号

  • 入库时间 2022-08-23 09:42:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-11

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/66 登记生效日:20170622 变更前: 变更后: 申请日:20120704

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-06-22

    授权

    授权

  • 2016-06-22

    授权

    授权

  • 2014-02-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20120704

    实质审查的生效

  • 2014-02-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20120704

    实质审查的生效

  • 2014-01-22

    公开

    公开

  • 2014-01-22

    公开

    公开

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