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公开/公告号CN209729946U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-12-03
原文格式PDF
申请/专利权人 东莞市欧思科光电科技有限公司;
申请/专利号CN201920442188.3
发明设计人 刘明剑;朱更生;吴振雷;周凯;沈进辉;罗仕昆;
申请日2019-04-03
分类号
代理机构厦门市新华专利商标代理有限公司;
代理人范小艳
地址 523000 广东省东莞市企石镇旧围村联兴工业区
入库时间 2022-08-22 11:36:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-03
授权
机译: 在双镶嵌互连中进行多级通孔布局以提高良率
机译: 双掩膜技术可提高超导电子产品的制造良率
机译:JEOL,EB光刻系统,用于掩模光刻技术向双图案化技术发展生产率和良率提高
机译:具有新型双参考和动态跟踪方案的128 Kb HfO2 ReRAM,可提高写入良率
机译:增强的内置自修复技术,可提高嵌入式存储器的制造良率和可靠性
机译:一种基于机器学习的方法,可在汽车片上系统中优化修复并提高嵌入式闪存的良率
机译:容错能力和嵌入式存储器良率的提高。
机译:基于小组的互动式定向会议:一种在实用临床试验中提高依从性和保留率的方法
机译:3D晶圆对晶圆堆叠式存储器的良率提高
机译:碲化镉材料的空间映射特性及电气响应对提高器件良率和性能的响应