公开/公告号CN209307479U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 超微中程纳米科技(苏州)有限公司;
申请/专利号CN201821691449.7
发明设计人 张建坡;
申请日2018-10-18
分类号
代理机构北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人汤东凤
地址 215000 江苏省苏州市工业园区兴浦路333号现代工业坊4号厂房2楼E单元
入库时间 2022-08-22 10:24:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-27
授权
授权
机译: 等离子蚀刻硅集成电路上的铝层-在真空室中使用未与等离子气体连接的电极
机译: 在等离子体增强蚀刻工艺中动态控制一种或多种蚀刻剂浓度的方法,用于在集成电路结构上形成导电材料的图案层
机译: 用于集成电路的薄膜蚀刻工艺。等-在同一真空室中使用通过参考样品的电性能测量监控的离子束