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一种面向SRAM的抗SEU错误累积的控制器及方法

摘要

本发明公开了一种面向SRAM的抗SEU错误累积的控制器及方法,包括:寄存器组、访存信息生成电路、访存状态转移控制电路、校验码解码模块、rdata寄存器、多路选择器、EDAC编码模块、pdata寄存器、wdata寄存器。当处理器进行访问主存之外的其它操作时,由处理器的存储器控制器自主的对所有的存储单元进行遍历式的读→校验→回写操作,遍历式刷新操作以最基本的SRAM存储单元为单位,每当完成一个存储单元的刷新操作,刷新地址递增,控制状态机回到空闲态,重新检测处理器是否存在访存操作。本发明充分利用系统的空闲时间,在不影响处理器性能的基础上,避免了SRAM存储单元的SEU错误累积。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-01

    授权

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  • 2014-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20131203

    实质审查的生效

  • 2014-04-02

    公开

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