公开/公告号CN208737211U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-04-12
原文格式PDF
申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;
申请/专利号CN201821631386.6
发明设计人 不公告发明人;
申请日2018-09-28
分类号
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人余明伟
地址 230601 安徽省合肥市合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
入库时间 2022-08-22 08:48:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-12
授权
授权
机译: 用于制造集成电路的光刻设备,具有被布置为可被两个光束穿透的相移掩模,其中相移掩模包括引起光束相移不同的区域。
机译: 光刻设备,器件制造方法,反射器和相移掩模的制造方法
机译: 光刻设备,器件制造方法,由此制造的器件,制造反射器的方法,由此制造的反射器和相移掩模