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相移掩膜版及相移掩模光刻设备

摘要

本实用新型提供一种相移掩膜版及相移掩模光刻设备,相移掩膜版包括透明光刻板基板;透明光刻板基板的上表面包括沿预定方向延伸且交替排列的第一和第二透光区;第一透光区包括沿预定方向依次间隔交替排列的第一和第二相移区,第二透光区包括沿预定方向依次间隔交替排列的第四和第三相移区;光刻板基板的下表面包括多个沿预定方向延伸的不透光图形区,其同时部分遮蔽第一和第二相移区以及第四和第三相移区。透过第一与第二相移区的出射光束、第一与第三相移区的出射光束、第一与第四相移区的出射光束之间分别具有90、180度、270度的相位差,这样在晶圆表面形成的暗区图案为完全的暗区,提高了晶圆表面的光刻图形的图像分辨率。

著录项

  • 公开/公告号CN208737211U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;

    申请/专利号CN201821631386.6

  • 发明设计人 不公告发明人;

    申请日2018-09-28

  • 分类号

  • 代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人余明伟

  • 地址 230601 安徽省合肥市合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

  • 入库时间 2022-08-22 08:48:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-12

    授权

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