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一种势垒高度可调的肖特基二极管

摘要

本实用新型公开了一种势垒高度可调的肖特基二极管,包括N型重掺杂衬底,所述N型重掺杂衬底正面生长有N型轻掺杂外延层,背面设有背面金属层,所述N型轻掺杂外延层的主表面设有变掺杂层,所述变掺杂层的主表面设有势垒金属硅化物层,且势垒金属硅化物层构成肖特基势垒,所述势垒金属硅化物层正面设有正面金属层。本实用新型能够在不改变势垒金属的条件下获得不同势垒高度,并且势垒高度调节具有连续性,能够满足多样化的市场需求,有利于批量生产不同结温特性的肖特基芯片势垒二极管芯片。

著录项

  • 公开/公告号CN208336238U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 扬州国宇电子有限公司;

    申请/专利号CN201820838309.1

  • 发明设计人 姚伟明;金银萍;陆阳;

    申请日2018-05-30

  • 分类号

  • 代理机构北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人谈杰

  • 地址 225000 江苏省扬州市吴州东路188号

  • 入库时间 2022-08-22 07:43:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-04

    授权

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