公开/公告号CN208336236U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 西安因变光电科技有限公司;
申请/专利号CN201820105021.3
申请日2018-01-23
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构61233 西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李倩
地址 710065 陕西省西安市高新区太白南路181号1幢A206
入库时间 2022-08-22 07:43:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-04
授权
授权
机译: 一种制造由掩埋层的晶体变换产生的RF-SOI捕获层基板的方法
机译: 一种在p埋层中具有自对准p阱的半导体器件(具有自对准p阱和p埋层的半导体器件)
机译: 具有pedal collar结构的存储器,用于保持沟槽型DRAM单元的电荷并改进其形成方法