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公开/公告号CN207622713U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-07-17
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆大学;
申请/专利号CN201721158538.0
发明设计人 牟笑静;窦韶旭;齐梦珂;
申请日2017-09-11
分类号G01B17/04(20060101);H03H9/25(20060101);
代理机构50211 重庆市前沿专利事务所(普通合伙);
代理人顾晓玲
地址 400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
入库时间 2022-08-22 05:42:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-17
授权
机译: 基于编码声表面波的应变传感器
机译: 应变传感器芯片安装结构,应变传感器芯片以及制造应变传感器芯片安装结构的方法
机译: 应变传感器芯片安装结构,应变传感器芯片的制造方法以及应变传感器芯片安装结构
机译:微流体传感器系统中声表面波传感器芯片表面的生物功能结构设计
机译:压电薄膜覆盖声表面波激励的耦合效率估计
机译:基于剪切滞后理论的无源无线声表面波扭矩传感器的应变传递机制
机译:应变介质下声表面波传播特性的理论分析及其在高温稳定高耦合声表面波衬底上的应用
机译:取向ZnO压电薄膜的制备与评价及其在声表面波器件中的应用
机译:用于高温声表面波传感器的新型AlN / Pt / ZnO电极
机译:基于LGS晶体的高温声表面波传感器的X射线衍射研究
机译:基于saW(基于声表面波)的100mHz带宽自适应滤波器