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一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管

摘要

本实用新型提供一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管,N+型衬底的正面设有N‑型集电区,背面设有背面金属层;N‑型集电区内的中间部分形成P型基区,PN结深度为10μm,P型基区上连接有极金属层,N‑型集电区内的边缘部分形成N+型中止环,P型基区内设有N+型发射区,N+型发射区周围设有N+型增阻环,N+型增阻环设在P型基区内,N+型发射区上连接发射极金属层;N‑型集电区表面覆盖氧化层,氧化层上覆盖钝化层,钝化层开两个窗口,分别引出基极和发射极金属层;本实用新型通过减小P型基区的结深,增设中止环结构,同时采用了增阻环结构,并减小晶体管的面积,使产品具有可靠性高,漏电小,电流大,高频,低饱和压降、开关时间速度快等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN207068865U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡固电半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201720591954.3

  • 发明设计人 龚利汀;龚利贞;

    申请日2017-05-25

  • 分类号

  • 代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人曹祖良

  • 地址 214028 江苏省无锡市新吴区新梅路68号

  • 入库时间 2022-08-22 04:09:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-02

    授权

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