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机译：一种用于制造半导体组件，尤其是pnp或npn功率晶体管的方法
公开/公告号DE1093484B
专利类型
公开/公告日1960-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION;
申请/专利号DE1957W022152
发明设计人 PILIPCZAK JOHN;STRULL GENE;
申请日1957-10-31
分类号H01L21/00;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/60;H01L29/00;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 18:40:27
机译： 用于制造半导体部件，特别是pnp或npn功率晶体管的方法。
机译： 用于半导体组件的设备，特别是双极性集成电路，包括NPN和PNP，横向和纵向晶体管
机译： 隔离式，高性能，功率vdmos晶体管和高压p沟道mos晶体管与cmos，npn，pnp晶体管和低泄漏二极管的单片集成
