一种大电流二次击穿高NPN型功率晶体管

摘要

本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种大电流二次击穿高NPN型功率晶体管，NPN型元胞单元包括N+型衬底、位于N+型衬底背面的金属层及位于N+型衬底正面的N‑型第一衬底子层，在N‑型第一衬底子层内设有P型基区，在P型基区上覆盖有基区金属层；在P型基区内设有N+发射区，在N+发射区上方盖有发射区金属层，其特征在于，N+型衬底为三重扩散结构；在N+型发射区四周设有N+型环；在P型基区的四周设有P+增压环9；N‑型第一衬底子层上方覆盖有绝缘介质层，绝缘介质层从下到上依次为磷硅玻璃、二氧化硅和氮化硅，绝缘介质层上方覆盖有聚酰亚胺钝化层；本实用新型通过优化器件结构，使其满足大电流、高电压输出，同时提高了二次击穿容量。