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A 1000V, 120A nondestructive reserve bias second breakdown tester for bipolar power transistors

机译：用于双极功率晶体管的1000V，120a非破坏性储备偏置二次击穿测试仪

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作者
Lee, F. C.; Chen, D. Y.; Carpenter, G.;
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年度 1985
页码 1-43
总页数 43
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
BIAS; BIPOLAR TRANSISTORS; ELECTRICAL FAULTS; NONDESTRUCTIVE TESTS; BYPASSES; CIRCUITS; ENERGY ABSORPTION;

机译：偏压;双极晶体管;电气故障;无损检测;绕过;集成电路;能量吸收;

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