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硅PIN半导体区域γ辐射监测仪

摘要

本实用新型公开了硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖,所述下盖的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页,所述下盖的顶端两侧均开设有凹槽,且凹槽为倾斜设置,所述凹槽的两侧内壁上均粘接有防护层,且防护层是由橡胶材质制成,所述下盖通过合页转动连接有上盖,所述上盖的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条。本实用新型结构简单,当遇到雨水天气时,可以将上盖及时通过合页和下盖闭合,上盖两侧的卡条可以密实闭合在凹槽的内部,并且防护层可以增加密封性进一步防止雨水进入到仪器内部,探测器盒内安装的硅PIN半导体二极管可以提高监测数据的精度,使仪器的响应时间大大缩短。

著录项

  • 公开/公告号CN206906593U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-01-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津米辐美科技发展有限公司;

    申请/专利号CN201720767321.3

  • 发明设计人 马扶雷;

    申请日2017-06-29

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300000 天津市津南区葛沽镇滨海民营经济成长示范基地创意中心A座1901室038号

  • 入库时间 2022-08-22 03:43:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-19

    授权

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