公开/公告号CN206906593U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-01-19
原文格式PDF
申请/专利权人 天津米辐美科技发展有限公司;
申请/专利号CN201720767321.3
发明设计人 马扶雷;
申请日2017-06-29
分类号
代理机构
代理人
地址 300000 天津市津南区葛沽镇滨海民营经济成长示范基地创意中心A座1901室038号
入库时间 2022-08-22 03:43:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-19
授权
授权
机译: 设置能够在电池或宏观构成的半导体电路中排列热辐射成分的辐射形成区域的方法,用于细胞或宏观构成的半导体电路的热辐射成分排列方法,热辐射计算方法和区域设定
机译: PIN合金半导体,具有整流结触点的辐射探测器,形成具有整流结触点的PIN合金半导体器件的方法和系统以及用于分析合金半导体特性的系统和方法
机译: 辐射发射和接收半导体组件包括辐射产生区域,该辐射产生区域的成分不同于辐射吸收区域