机译:设置能够在电池或宏观构成的半导体电路中排列热辐射成分的辐射形成区域的方法,用于细胞或宏观构成的半导体电路的热辐射成分排列方法,热辐射计算方法和区域设定
公开/公告号JP2008059225A
专利类型
公开/公告日2008-03-13
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJITSU LTD;
申请/专利号JP20060234681
发明设计人 UI NOBUYUKI;
申请日2006-08-30
分类号G06F17/50;H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 20:25:14