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公开/公告号CN202975342U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-06-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中国辐射防护研究院;
申请/专利号CN201220569879.8
发明设计人 靳根;徐园;王希涛;陈法国;刘倍;
申请日2012-11-01
分类号
代理机构北京天悦专利代理事务所(普通合伙);
代理人田明
地址 030006 山西省太原市学府街102号
入库时间 2022-08-21 23:48:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-06-05
授权
机译: 设置能够在电池或宏观构成的半导体电路中排列热辐射成分的辐射形成区域的方法,用于细胞或宏观构成的半导体电路的热辐射成分排列方法,热辐射计算方法和区域设定
机译: 提供了一种用于制造具有硅区域和多晶硅导体轨并具有金属硅化物覆盖层的半导体器件的方法。
机译: 一种制造由硅制成的半导体器件的方法,该硅器件在不同电导的区域之间具有至少一个过渡,特别是pn-过渡和由无机材料组成的壳体
机译:基于硅PIN二极管阵列的高灵敏度便携式连续continuous监测仪的开发与表征
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机译:带有硅半导体探测器的中子面积监测仪的能量响应
机译:半导体的光载波辐射测定:一种用于硅工艺无损检测的新型光电扩散波技术
机译:在区域熔化的重结晶绝缘体上硅结构中制造的侧向取向Pin二极管的特性,该结构包含完整的粘弹性应力释放层。
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