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应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构

摘要

本发明涉及一种应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构,属于电路结构技术领域。该电路结构中,流过N1和N2的电流I由参考电压Vx和电阻R1的值确定而和输入信号的幅度无关,消除了由于P2的沟道长度调制效应导致的信号失真,当输出信号在合理范围内波动时,流过P3的电流不变,保证输出信号良好的线性度;同时,由于P2由多个P型MOS场效应管并联构成,每个P型MOS场效应管的跨导gm2很小,并且由于反馈的引入,P2的特性接近于理想电流源,所以P2所产生的噪声大为减小,从而使本发明的应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构满足对于低噪声和良好线性度的要求,且其结构简单,成本较为低廉。

著录项

  • 公开/公告号CN103595352B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡华润矽科微电子有限公司;

    申请/专利号CN201210287655.2

  • 发明设计人 周景晖;

    申请日2012-08-13

  • 分类号

  • 代理机构上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人王洁

  • 地址 214000 江苏省无锡市菱湖大道180号-22

  • 入库时间 2022-08-23 09:40:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-08

    授权

    授权

  • 2014-03-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F 1/26 申请日:20120813

    实质审查的生效

  • 2014-02-19

    公开

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