应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构

摘要

本发明涉及一种应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构，属于电路结构技术领域。该电路结构中，流过N1和N2的电流I由参考电压Vx和电阻R1的值确定而和输入信号的幅度无关，消除了由于P2的沟道长度调制效应导致的信号失真，当输出信号在合理范围内波动时，流过P3的电流不变，保证输出信号良好的线性度；同时，由于P2由多个P型MOS场效应管并联构成，每个P型MOS场效应管的跨导gm2很小，并且由于反馈的引入，P2的特性接近于理想电流源，所以P2所产生的噪声大为减小，从而使本发明的应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构满足对于低噪声和良好线性度的要求，且其结构简单，成本较为低廉。