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应用于负电源的电平位移电路及器件设计

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本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路.实现从O～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换.分析了该电路的结构和工作原理.基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件.分析了器件的工作状态以及耐压机理,并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计.

著录项

来源
《电子元器件应用》 |2011年第7期|32-36|共5页
作者
傅达平; 王猛; 胡曦; 庄翔; 赵远远;
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作者单位

电子科技大学功率集成技术实验室,四川成都610054;

电子科技大学功率集成技术实验室,四川成都610054;

电子科技大学功率集成技术实验室,四川成都610054;

电子科技大学功率集成技术实验室,四川成都610054;

电子科技大学功率集成技术实验室,四川成都610054;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
电平位移; 薄膜SOI; LDMOS; 负电源; 开态击穿电压;

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